各位數(shù)碼愛好者，你們知道嗎？在芯片制程的賽道上，三星正全力沖刺，準備推出他們最新的2nm制程工藝。這可不是鬧著玩的，這可是決定未來電子設備性能的關鍵技術(shù)?。?/p>
近年來，三星的代工業(yè)務雖然遭遇了一些挑戰(zhàn)，但人家可沒閑著。雖然除了自家Exynos處理器外，很少有知名芯片廠商采用他們3nm及更先進的制程工藝，但這并不影響三星在半導體領域的野心。這不，他們正在積極研發(fā)2nm制程，準備再次引領行業(yè)潮流。
據(jù)Business Korea報道，三星Foundry正在研發(fā)下一代環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，這項技術(shù)將用于他們的2nm制程工藝。而且，基于這項技術(shù)的2nm半導體芯片計劃在明年就量產(chǎn)！這速度，簡直快得讓人目不暇接。
更牛的是，三星還將在6月16日至20日于美國夏威夷舉行的VLSI研討會上展示用于2nm芯片的第三代GAA技術(shù)論文。VLSI研討會可是全球三大頂尖半導體技術(shù)研討會之一啊，可見三星對這項技術(shù)有多么重視。
那么這個GAA技術(shù)到底是什么來頭呢？簡單來說，GAA是一種新型的晶體管設計，它能改善電流流動并提高能效。三星在第一代3nm制程工藝中就首次引入了這項技術(shù)，雖然目前只有自家Exynos處理器在使用，但預計未來會有更多廠商看到它的潛力。
據(jù)說，相比于采用5nm制程的芯片，第一代3nm GAA芯片的晶體管面積減少了16%，性能提升了23%，能效提高了45%。而第二代3nm制程更是預計能讓晶體管面積減少35%，性能提升30%，能效提升50%。至于用于2nm芯片的第三代GAA技術(shù)，那可就更不得了了，有望實現(xiàn)晶體管面積減少50%和性能提升50%！
